今年1月份国外SiC的最新进展及技术
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- 发布时间：2021-03-27 10:27
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今年1月份国外SiC的最新进展及技术
在学术界，2021年一个引人注目的SiC头条新闻来自名古屋工业大学的最新研究。
该研究小组提出了一种无损测量碳化硅器件中载流子寿命的方法。这是一项重要的成果，因为许多研究人员一直在尝试平衡SiC载流子寿命-在足够的电导率调制（这需要较长的载流子寿命）和开关损耗（需要较短的载流子寿命）之间寻找最佳平衡点。
在过去，这一努力只能通过侵入性技术来测量，需要研究人员真正地切开并分析半导体。
在他们提出的方法中，研究人员使用激发激光器来创建载流子，并使用带有检测器的探针激光器来测量激发载流子的寿命。有了这种可以进行更简单、非侵入性分析的技术，工程师们终于可以开始对载流子寿命进行微调，以达到传导调制和低开关损耗的完美平衡。这在未来可能会带来新一代更新、更高性能的SiC器件。
另一项SiC进展来自弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的研究人员，他们最近发现了一种新型的SiC晶体管，由于其高阻断电压，可以直接连接到中压电网。这些新器件与大多数逆变器相反，它们向低压电网供电，但可以使用50赫兹变压器与中压电网耦合。
关键词：
上一个:
碳化硅器件的优势特性
下一个:
碳化硅微粉的作用
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碳化硅器件的优势特性
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碳化硅微粉的作用
