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今年1月份国外SiC的最新进展及技术

  • 分类:行业新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2021-03-27 10:27
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今年1月份国外SiC的最新进展及技术

在学术界,2021年一个引人注目的SiC头条新闻来自名古屋工业大学的最新研究。

该研究小组提出了一种无损测量碳化硅器件中载流子寿命的方法。这是一项重要的成果,因为许多研究人员一直在尝试平衡SiC载流子寿命-在足够的电导率调制(这需要较长的载流子寿命)和开关损耗(需要较短的载流子寿命)之间寻找最佳平衡点。

在过去,这一努力只能通过侵入性技术来测量,需要研究人员真正地切开并分析半导体。

在他们提出的方法中,研究人员使用激发激光器来创建载流子,并使用带有检测器的探针激光器来测量激发载流子的寿命。有了这种可以进行更简单、非侵入性分析的技术,工程师们终于可以开始对载流子寿命进行微调,以达到传导调制和低开关损耗的完美平衡。这在未来可能会带来新一代更新、更高性能的SiC器件。

另一项SiC进展来自弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的研究人员,他们最近发现了一种新型的SiC晶体管,由于其高阻断电压,可以直接连接到中压电网。这些新器件与大多数逆变器相反,它们向低压电网供电,但可以使用50赫兹变压器与中压电网耦合。 

 

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