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碳化硅器件的优势特性

  • 分类:行业新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2021-03-27 14:48
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碳化硅器件的优势特性

碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
与普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性:

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍,碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏,且通态电阻并不很大。

2高温特性

在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性,一直被视为“理想器件”而备受期待。然而,相对于以往的Si材质器件,SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求,将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。

目前,低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段。目前碳化硅圆片的价格还较高,其缺陷也多。